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TSM250NB06DCR RLG /DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
TSM250NB06DCR RLG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7A(Ta),30A(Tc)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)25 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1461pF @ 30V

功率 - 最大值2W(Ta),48W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-PowerTDFN

供应商器件封装8-PDFN(5x6)

供应商TSM250NB06DCR RLG
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深圳市宇浩扬科技有限公司TSM250NB06DCR RLG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TSM250NB06DCR RLG深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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TSM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,$2.07000